如何用萬用表檢測mos管是好是壞？

以N溝道MOS場效應管5N60C為例 ，來詳細介紹一下具體的測量方法。

1.N溝道MOS場效應管好壞的測量方法

2.用數(shù)字萬用表二極管檔正向測量5N60C的D-S兩極 。

測量5N60C好壞時，首先將萬用表量程開關(guān)調(diào)至二極管檔
，將5N60C的G極懸空，用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極 ，若是好的管子
，萬用表顯示為“OL ”，即溢出（見上圖）。

3.用數(shù)字萬用表二極管檔反向測量5N60C的D-S兩極
。

然后調(diào)換紅黑表筆 ，再去測量D-S兩極
，則萬用表顯示的讀數(shù)為一個硅二極管的正向壓降（見上圖）。

若MOS場效應管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞，用二極管檔測量時 ，萬用表顯示的讀數(shù)接近于零 。

4.用萬用表的二極管檔給5N60C柵源兩極（G-S兩極）之間的電容充電
。對于N溝道MOS場效應管充電時
，紅表筆應接管子的G極，黑表筆接管子的S極。

在測量完5N60C的D-S兩極 ，并且確實是好的之后
，然后用二極管檔給MOS場效應管的柵源兩極之間的電容充電 。

由于MOS場效應管的輸入電阻在GΩ級（GΩ讀作吉歐，1GΩ＝1000MΩ） ，數(shù)字萬用表二極管檔的開路測量電壓約為2.8～3V，故用二極管檔的測量電壓給MOS場效應管的柵源兩極之間的電容充電后
，可以使MOS場效應管D-S兩極之間的電阻變得很小，故用這個方法可以測量場效應管G-S兩極之間是否損壞
。

5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后 ，用電阻檔實測D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω。

6.用萬用表電阻檔實測5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω 。

上面為一個好的N溝道MOS場效應管的測量數(shù)據(jù)
。對于P溝道MOS場效應管的測量方法與上述測量一樣
，只是萬用表表筆需要調(diào)換一下極性。

擴展資料：

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體 。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的 ，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)
。在多數(shù)情況下
，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的 。

場效應管（FET） ，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance
， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比
。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管 。

場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流
。事實上沒有電流流過這個絕緣體 ，所以FET管的GATE電流非常小。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體 。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管
，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）
。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應用場合取代了雙極型晶體管。

MOS管用數(shù)字萬用表怎么測其好壞及引腳？

用數(shù)字萬用表測量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場效應管為例 。

一、先確定MOS管的引腳：

1 、先對MOS管放電mos管怎么測試好壞 ，將三個腳短路即可mos管怎么測試好壞；

1、首先找出場效應管的D極（漏極）
。對于TO-252
、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場效應管mos管怎么測試好壞，它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的
，故mos管怎么測試好壞我們可用數(shù)字萬用表的二極管檔測量管子的各個引腳，哪個引腳與散熱片相連 ，哪個引腳就是D極。

2、找到D極后
，將萬用表調(diào)至二極管檔mos管怎么測試好壞；

3 、用黑表筆接觸管子的D極，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個引腳 。若接觸到某個引腳時 ，萬用表顯示的讀數(shù)為一個硅二極管的正向壓降
，那么該引腳即為S極（源極），剩下的那個引腳即為G極（柵極）
。

二
、MOS管好壞的測量：

1、當把紅表筆放在S極上 ，黑表筆放在D極上
，可以測出來這個導通壓降，一般在0.5V左右為正常；

2 、G腳測量 ，需要先對G極充下電
，把紅表筆放在G極，黑表筆放在S極；

3
、再次把紅表筆放在S極上 ，黑表筆放在D極上，可以測出來這個放大壓降
，一般在0.3V左右為正常；

擴展資料

MOS管的主要參數(shù)

1、開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；

標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；通過工藝上的改進 ，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2 、直流輸入電阻RAH

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時以流過柵極的柵流表示

MOS管的RAH可以很容易地超過1010Ω 。

3.
、漏源擊穿電壓BVDS

在VAH=0（增強型）的條件下
，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中，其溝道長度較短 ，不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū)
，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通 ，穿通后
，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引 ，到達漏區(qū)
，產(chǎn)生大的ID。

4、柵源擊穿電壓BVAH

在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VAH ，稱為柵源擊穿電壓BVAH
。

5 、低頻跨導gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下，漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導；

gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力
，是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6
、導通電阻RON

導通電阻RON說明了VDS對ID的影響，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū) ，ID幾乎不隨VDS改變
，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導通時經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下
，所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似

·對一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7、極間電容

三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CAH 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CAH和CGD約為1～3pF ，CDS約在0.1～1pF之間

8、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運動的不規(guī)則性所引起的?！び捎谒拇嬖?
，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示 ，它的單位為分貝（dB） 。這個數(shù)值越小
，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù)

場效應管的噪聲系數(shù)約為幾個分貝，它比雙極性三極管的要小

場效應管（MOSFET）檢測方法與經(jīng)驗

一
、用指針式萬用表對場效應管進行判別

（1）用測電阻法判別結(jié)型場效應管的電極

根據(jù)場效應管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象 ，可以判別出結(jié)型場效應管的三個電極
。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極
，分別測出其正 、反向電阻值。當某兩個電極的正
、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時 ，則該兩個電極分別是漏極D和源極S 。因為對結(jié)型場效應管而言
，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G
。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極 ，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極
，測其電阻值。當出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極 ，其余兩電極分別為漏極和源極 。若兩次測出的電阻值均很大
，說明是PN結(jié)的反向，即都是反向電阻 ，可以判定是N溝道場效應管
，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向PN結(jié) ，即是正向電阻，判定為P溝道場效應管
，黑表筆接的也是柵極
。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進行測試 ，直到判別出柵極為止。

（2）用測電阻法判別場效應管的好壞

測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極 、柵極與源極
、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞 。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔
，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知 ，各種不同型號的管
，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值 ，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測得阻值是無窮大
，可能是內(nèi)部斷極
。然后把萬用表置于R×10k檔，再測柵極G1與G2之間 、柵極與源極
、柵極與漏極之間的電阻值 ，當測得其各項電阻值均為無窮大
，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是壞的。要注意 ，若兩個柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進行檢測 。

（3）用感應信號輸人法估測場效應管的放大能力

具體方法：用萬用表電阻的R×100檔
，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D ，給場效應管加上1.5V的電源電壓
，此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場效應管的柵極G，將人體的感應電壓信號加到柵極上
。這樣 ，由于管的放大作用
，漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化 ，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小
，說明管的放大能力較差；表針擺動較大，表明管的放大能力大；若表針不動 ，說明管是壞的 。

根據(jù)上述方法
，我們用萬用表的R×100檔，測結(jié)型場效應管3DJ2F
。先將管的G極開路 ，測得漏源電阻RDS為600Ω，用手捏住G極后
，表針向左擺動，指示的電阻RDS為12kΩ ，表針擺動的幅度較大
，說明該管是好的，并有較大的放大能力。

運用這種方法時要說明幾點：首先 ，在測試場效應管用手捏住柵極時
，萬用表針可能向右擺動（電阻值減小），也可能向左擺動（電阻值增加） 。這是由于人體感應的交流電壓較高 ，而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同（或者工作在飽和區(qū)或者在不飽和區(qū)）所致
，試驗表明，多數(shù)管的RDS增大 ，即表針向左擺動；少數(shù)管的RDS減小
，使表針向右擺動
。但無論表針擺動方向如何，只要表針擺動幅度較大 ，就說明管有較大的放大能力。第二，此方法對MOS場效應管也適用 。但要注意
，MOS場效應管的輸人電阻高，柵極G允許的感應電壓不應過高 ，所以不要直接用手去捏柵極
，必須用于握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵極 ，以防止人體感應電荷直接加到柵極
，引起柵極擊穿
。第三，每次測量完畢 ，應當G-S極間短路一下。這是因為G-S結(jié)電容上會充有少量電荷
，建立起VAH電壓，造成再進行測量時表針可能不動 ，只有將G-S極間電荷短路放掉才行 。

（4）用測電阻法判別無標志的場效應管

首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳
，也就是源極S和漏極D，余下兩個腳為第一柵極G1和第二柵極G2
。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來 ，對調(diào)表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來
，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極D；紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極 ，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證
，即放大能力大的黑表筆所接的是D極；紅表筆所接地是8極，兩種方法檢測結(jié)果均應一樣 。當確定了漏極D 、源極S的位置后 ，按D
、S的對應位置裝人電路
，一般G1、G2也會依次對準位置，這就確定了兩個柵極G1 、G2的位置 ，從而就確定了D、S
、G1、G2管腳的順序。

（5）用測反向電阻值的變化判斷跨導的大小

對VMOS N溝道增強型場效應管測量跨導性能時
，可用紅表筆接源極S 、黑表筆接漏極D，這就相當于在源
、漏極之間加了一個反向電壓
。此時柵極是開路的 ，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔
，此時表內(nèi)電壓較高 。當用手接觸柵極G時，會發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化 ，其變化越大，說明管的跨導值越高；如果被測管的跨導很小
，用此法測時，反向阻值變化不大
。

二、.場效應管的使用注意事項

（1）為了安全使用場效應管 ，在線路的設計中不能超過管的耗散功率
，最大漏源電壓 、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。

（2）各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接人電路中 ，要遵守場效應管偏置的極性 。如結(jié)型場效應管柵源漏之間是PN結(jié)
，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負偏壓，等等
。

（3）MOS場效應管由于輸人阻抗極高 ，所以在運輸
、貯藏中必須將引出腳短路
，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意 ，不能將MOS場效應管放人塑料盒子內(nèi)
，保存時最好放在金屬盒內(nèi)，同時也要注意管的防潮 。

（4）為了防止場效應管柵極感應擊穿 ，要求一切測試儀器、工作臺 、電烙鐵
、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前
，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時 ，應以適當?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當然
，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵，焊接場效應管是比較方便的 ，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時
，絕對不可以把管插人電路或從電路中拔出
。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。

（5）在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動 ，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時
，應當大于根部尺寸5毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等 。

對于功率型場效應管 ，要有良好的散熱條件
。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用
，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值 ，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作。

總之，確保場效應管安全使用
，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣 ，廣大的專業(yè)技術(shù)人員
，特別是廣大的電子愛好者，都要根據(jù)自己的實際情況出發(fā) ，采取切實可行的辦法
，安全有效地用好場效應管 。

三.VMOS場效應管

VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件
。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W） 、驅(qū)動電流?。?.1μA左右） ，還具有耐壓高（最高1200V）
、工作電流大（1.5a～100A）、輸出功率高（1～250W） 、跨導的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身
，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍）
、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應用 。

VMOS場效應功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點，尤其是其具有負的電流溫度系數(shù) ，即在柵-源電壓不變的情況下
，導通電流會隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象
。因此 ，VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應用。

眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極 、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上
，其工作電流基本上是沿水平方向流動 。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點:第一 ，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二
，具有垂直導電性
。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動 ，而是自重摻雜N+區(qū)（源極S）出發(fā)
，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，最后垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示 ，因為流通截面積增大
，所以能通過大電流 。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管
。

國內(nèi)生產(chǎn)VMOS場效應管的主要廠家有877廠
、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等 ，典型產(chǎn)品有VN401 、VN672
、VMPT2等。

下面介紹檢測VMOS管的方法 。

1．判定柵極G

將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻
。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大
，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極 ，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。

2．判定源極S、漏極D

由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結(jié)
，因此根據(jù)PN結(jié)正 、反向電阻存在差異，可識別S極與D極 。用交換表筆法測兩次電阻 ，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻
，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。

3．測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）

將G-S極短路 ，選擇萬用表的R×1檔
，黑表筆接S極，紅表筆接D極 ，阻值應為幾歐至十幾歐
。

由于測試條件不同
，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W ，大于0.58W（典型值） 。

4．檢查跨導

將萬用表置于R×1k（或R×100）檔
，紅表筆接S極，黑表筆接D極 ，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉(zhuǎn)
，偏轉(zhuǎn)愈大，管子的跨導愈高
。

注意事項：

（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管 ，但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對于P溝道管
，測量時應交換表筆的位置 。

（2）有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護二極管，本檢測方法中的1
、2項不再適用
。

（3）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊 ，專供交流電機調(diào)速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊
，內(nèi)部有N溝道 、P溝道管各三只，構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu) 。

（4）現(xiàn)在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品 ，是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場效應管
，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A ，PDM=30W
，共源小信號低頻跨導gm=2000μS
。適用于高速開關(guān)電路和廣播
、通信設備中。

（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后 。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后 ，最大功率才能達到30W
。

（6）多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應增加
，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此 ，并聯(lián)復合管管子一般不超過4個
，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻 。

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電動車控制器MOS管如何檢測好壞

首先,斷開控制器與電源連接，把控制器粗黑線與粗紅線碰接短路 ，這樣做的目的是放完內(nèi)部電容余電。

然后
，把三根粗黃線對粗黑碰線短接，目的同上
。一定要放電后再進行測量。這三根粗黃線實際上是三根相線 。

做完以上準備工作后 ，按以下三個步驟操作
，即可判斷控制器好壞
。

第一步：將萬用表置于二極管檔測量，用紅表筆接控制器負極 ，黑表筆依次測量控制器主線中的黃、綠 、藍線
，讀數(shù)約在500左右（數(shù)字萬用表），三次讀數(shù)應基本一致。

第二步：用萬用表黑表筆接控制器正極 ，紅表筆依次接控制器主線黃、綠
、藍線，讀數(shù)約在500左右
，三次讀數(shù)應基本一致

第三步：如果第一、二步的測量正常，則表示無刷控制器基本正常 ，把控制器與車體線路正常連接
，接通電源，拔掉制動線 ，用萬用表電壓檔測量轉(zhuǎn)把5V電壓是否正常 。

若以上測試正常
，表示控制器基本正常，否則可判定控制器損壞
。

擴展資料

電動車控制器的作用

1 、驅(qū)動電機旋轉(zhuǎn)。

2
、在轉(zhuǎn)把的控制下改變電機驅(qū)動電流 ，從而實現(xiàn)電機速度的調(diào)整 。

3、在閘把（剎把）的控制下切斷輸出電流
，實現(xiàn)剎車控制
。

4 、對蓄電池電壓進行檢測，在蓄電池存儲的電壓接近“放電終止電壓
”時 ，通過控制器面板（或儀表顯示盤）來顯示電量不足；提醒騎行者調(diào)整自己的行程
，當達到終止電壓時，通過取樣電阻將該信號送到比較器 ，由電路輸出保護信號，致使
、保護電路按預先設定的程序發(fā)出指令
，切斷電流以保護充電器和蓄電池。

5、過流保護，電流過大時過流保護電路動作 ，使電機停轉(zhuǎn)
，避免過流給電機和控制器帶來危害 。另外，部分控制器還具有防飛車保護 、巡行限速等功能
。

電路中MOS管的好壞該如何判斷？

一.紅左 ，黑中
、右無窮大黑左
，紅中、右無窮大紅中，黑右無窮大mos管怎么測試好壞；黑中紅右顯示530（左右）。其實場效應管三極管很好判斷：有字面朝上從左到右依次為：G 、D
、S ，有些管相反：S、D 、G 。我修顯示器、主板
、電源都是從上面mos管怎么測試好壞的方法測絕對沒問題。你不信隨便拆塊板看一看
，場效應管在電路圖板的布局及應VMOS大功率場效應晶體管的檢測
。

二．1判別各電極與管型。用萬用表R×100檔，測量場效應晶體管任意兩引腳之間的正、反向電阻值 。其中一次測量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆 ，這時兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D
，而另一引腳為柵極G
。再用萬用表R×10k檔測量兩引腳（漏極D與源極S）之間的正 、反向電阻值。正常時，正向電阻值為2kΩ左右 ，反向電阻值大于500kΩ 。在測量反向電阻值時，紅表筆所接引腳不動
，黑表筆脫離所接引腳后，先與柵極G觸碰一下 ，然后再去接原引腳
，觀察萬用表讀數(shù)的變化情況
。若萬用表讀數(shù)由原來較大阻值變?yōu)?，則此紅表筆所接的即是源極S ，黑表筆所接為漏極D。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效
，說明該管為N溝道場效應管 。若萬用表讀數(shù)仍為較大值，則黑表筆接回原引腳不變 ，改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳
，若此時萬用表讀數(shù)由原來阻值較大變?yōu)?，則此時黑表筆接的為源極S ，紅表筆接的是漏極D
。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效
，說明該管為P溝道場效應晶體管。

2．判別其好壞 。用萬用表R×1k檔或R×10k檔，測量場效應管任意兩腳之間的正
、反向電阻值
。正常時 ，除漏極與源極的正向電阻值較小外，其余各引腳之間（G與D、G與S）的正 、反向電阻值均應為無窮大。若測得某兩極之間的電阻值接近0Ω
，則說明該管已擊穿損壞 。另外，還可以用觸發(fā)柵極（P溝道場效應晶體管用紅表筆觸發(fā) ，N溝道場效應管用黑表筆觸發(fā)）的方法來判斷場應管是否損壞。若觸發(fā)有效（觸發(fā)柵極G后
，D
、S極之間的正、反向電阻均變?yōu)?），則可確定該管性能良好
。用吧三,1用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導通電壓.2因為柵極等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管.3利用表筆對柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對自已時,左柵中漏右源。

zbwsemi的MOS管10N65如何測量好壞

編輯-Z

為什么要檢測mos管的好壞？

為了保護板上的其他元件 ，在將MOS管10N65連接到電路之前對其進行測試至關(guān)重要 。mos管10N65主要有漏極 、源極和柵極三個引腳
。

當使用有故障的MOS管時
，會發(fā)生漏極到柵極的短路，對電路不利。這種短路的結(jié)果可能是漏極電壓反饋 ，這也會影響柵極端子 。電壓到達該端后
，通過柵極電阻進一步傳輸?shù)津?qū)動電路，這種傳輸可能對驅(qū)動電路造成進一步的損壞
。因此 ，在使用前檢測mos管10N65的質(zhì)量可以避免損壞整個電路。那么zbwsemi的MOS管10N65如何測量好壞呢？

測量mos管10N65好壞時要注意的幾點

在測試mos管時
，您需要采取一些預防措施 。主要是：

1
、必須保證輸入電源大于等于MOS管10N65的閾值電壓
。

2、MOS管的漏極電壓和柵極電壓不能超過擊穿電壓。

3 、應選擇合適的限流電阻給LED供電 。

4
、連接時應始終使用柵源電阻
。這將有助于避免柵極處的噪聲，也有助于釋放器件的寄生電容。

5、在mos管的柵極處應始終使用低量程電阻 。

6 、最后 ，通過測試電路技術(shù)進行測試時，一定要使用低端開關(guān)電路。否則
，mos管將無法工作
。

用萬用表測量mos管10N65的好壞——電阻測試

當MOS管的柵端沒有觸發(fā)脈沖時，它的漏源電阻很高。電阻測試就是利用這個屬性來測試mos管10N65是否有故障 。測試也很簡單 ，只需要一個歐姆表或萬用表即可執(zhí)行
。

做一個電阻檢查
，無論數(shù)字萬用表探頭的極性如何，一個好的mos管應該在漏極和源極之間有很高的電阻。

以下是進行電阻測試的一些基本步驟：

1、無論歐姆表探頭的連接如何 ，功能良好的mos管10N65都應指示高漏源電阻 。

2
、也可以用萬用表檢查漏源電阻
。將萬用表置于電阻模式開始測試
，萬用表電阻讀數(shù)應高到以兆歐為單位。

3、將萬用表的讀數(shù)與mos管10N65的數(shù)據(jù)表進行比較 。如果您發(fā)現(xiàn)電阻讀數(shù)小于數(shù)據(jù)表上的值或為零，則存在故障
。儀表或歐姆表應顯示數(shù)據(jù)表上的電阻。

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